＊＊＊（匿名公開）＊＊＊
フラッシュメモリデバイス・プロセスエンジニア、先端メモリ開発デバイス・プロセス開発エンジニア
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| 募集要項 |
求人コード 002148 |
| 職 種 |
フラッシュメモリデバイス・プロセスエンジニア、先端メモリ開発デバイス・プロセス開発エンジニア |
| 仕事内容 |
■フラッシュメモリデバイス（メモリセル、トランジスタ、デバイス構造）設計業務ならびに開発試作業務 ■フラッシュメモリ技術・先端メモリデバイス開発のユニットプロセス技術ならびにインテクレーション技術の開発業務 |
| 必須の経験・能力 |
●半導体メモリのデバイス開発、製品開発業務経験３年以上、またはフラッシュメモリ製品開発経験
●半導体デバイス開発（トランジスタ開発）を経験された方。
●メモリ製品やデバイスの試作、評価を経験されている方。
●半導体デバイスに関する専門性を有する方。
●半導体製造プロセス開発に関する業務経験のある方
*上記 製造プロセス、技術開発経験は、フラッシュメモリ製品でなくともでなくとも可 |
| 歓迎する経験 |
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| 募集年齢 |
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| 学 歴 |
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| 英 語 |
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| 勤務地 |
四日市市
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| 勤務時間 |
フレックスタイム制（コアタイムは各事業所で異なる）
標準労働時間7ｈ45m／日 |
| 年収・給与 |
経験・能力を考慮し決定
昇給 年1回賞与 年2回 |
| 手当・福利厚生 |
諸手当 ： 扶養加給、住宅費補助、通勤手当、等
福利厚生 ： 各種社会保険、財形貯蓄制度、社宅、寮、保養所、各種体育施設、総合病院、従業員クラブ等 |
| 年間休日 |
完全週休2日制(土・日曜)、祝日
年末年始休暇、有給休暇（初年度18日、2年目以降24日）、赴任休暇、結婚休暇、慶弔休暇、ステップアップ休暇など |
